如圖一所示,為ㄧ N 通道增強型 MOSFET 在已知 $V_{GS}$ 值時的理想 $I_D - V_{DS}$ 特性曲線圖。當 $V_{GS} < V_{GS}-V_t$ 時,N 通道增強型 MOSFET 操作在歐姆區 (Ohmic Region) 或稱三極區 (Triode Region) 或是非飽和區 (Nonsaturation Region),其 $I_D - V_{DS}$ 特性曲線方程式為一二次函數:即ㄧ開口向下,頂點座標為 $(V_{GS}-V_t, I_{D1})$,且經過原點的拋物線的左半部。其中的 $I_{D1} = K(V_{GS}-V_t)^2$ ,為 N 通道增強型 MOSFET 的操作由歐姆區進入飽和區臨界點的 $I_D$ 表示式,而 $K$ 為一常數且其值可由下式決定: $$K=\frac{1}{2}\mu C_{o}(\frac{W}{L})$$ 上式中的 $\mu$ 為感應通道中主要載子 ( 在此是電子) 的遷移率 (mobility),$C_o$ 是閘極與通道間每單位面積的電容量,$W$ 是 通道的寬度,而 $L$ 則是 通道的長度。 圖一 N 通道增強型 MOSFET 在 $V_{GS}$ 為已知時的 $I_D - V_{DS}$ 理想特性曲線圖 已知二次函數可寫成 $$f(x) = ax^2 + bx + c$$ $$\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;=a(x-h)^2+k\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;(a \neq 0)$$ 其中的 $(h, k)$ 為此二次函數的頂點座標。 因此,N 通道增強型 MOSFET 在歐姆區操作的 $I_D - V_{DS}$ 特性方程式可寫成 $$I_D = a [\;V_{DS} - (V_{GS} - V_t)\;]^2 + I_{D1}\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\;\...